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Neue Gallium- und Germanium-Materialien für Leistungshalbleiter reifen heran
iX · Von Christof Windeck ·
Das Wichtigste · aus 2 Quellen
- Halbleiter aus Gallium(III)-oxid und Germanium(IV)-oxid werden als Materialien für Leistungshalbleiter entwickelt.
- Laut den Quellen versprechen sie Vorteile gegenüber Halbleitern aus Galliumnitrid (GaN) oder Siliziumkarbid (SiC).
- Die Berichte nennen keine konkreten Messwerte, Serienreife oder Termine.
Warum es wichtig ist
Sollten sich die neuen Materialien bewähren, könnten sie langfristig Alternativen zu GaN und SiC in der Leistungselektronik werden. Für Entwicklerinnen und Entwickler ist das derzeit vor allem ein Thema für die künftige Bauteilauswahl.
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Halbleiter aus Gallium(III)-oxid und Germanium(IV)-oxid versprechen Vorteile gegenüber solchen aus Galliumnitrid (GaN) oder Siliziumkarbid (SiC).
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